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MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結）MOSFET，主要在高壓領域應用。隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發展，因其巨大的市場份額，國內外諸多廠商在相應的新技術研發上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開關器件廣泛應用于電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應，在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡，將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布，在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源，電機控制，動力電池系統等應用領域中，SGT MOSFET配合先進封裝，非常有助于提高系統的效能和功率密度。

SGT相對傳統Trench結構，具有低Qg 的特點。屏蔽柵結構的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上，有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關鍵指標，采用SGT結構，可以獲得更低的CGD/CGS比值。